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    ST，意法半導(dǎo)體
    

    

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    產(chǎn)品參考圖片
    

    STS2DNF30L參考圖片
    

    ST（意法半導(dǎo)體）產(chǎn)品標(biāo)志
    

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    聯(lián)系方式
    

    

    

    

    STS2DNF30L
    

  1. 制造廠商：ST（中文名：意法半導(dǎo)體）
    2. 

  2. 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
    3. 

  3. 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
    4. 

  4. （專(zhuān)注銷(xiāo)售ST電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
    5. 

  5. （您可通過(guò)電話(huà)、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）
    6. 

    參數(shù)詳情：
    

  6. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STS2DNF30L
  7. 制造商：STMicroelectronics，（意法半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）
  8. 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
  9. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  10. 產(chǎn)品系列：STripFET?
  11. 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)
  12. FET類(lèi)型：2 N-通道（雙）
  13. FET功能：邏輯電平門(mén)
  14. 漏源電壓（Vdss）：30V
  15. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：3A
  16. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：110 毫歐 @ 1A，10V
  17. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  18. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.5nC @ 10V
  19. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：121pF @ 25V
  20. 功率-最大值：2W
  21. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  22. 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
  23. 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
  24. STS2DNF30L的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
    25. 

    

    

    

    點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    STS2DNF30L的技術(shù)資料下載
    

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