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    ST，意法半導(dǎo)體
    

    

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    STGW30N90D供應(yīng)商
    

    

    

    

    

    產(chǎn)品參考圖片
    

    STGW30N90D參考圖片
    

    ST（意法半導(dǎo)體）產(chǎn)品標(biāo)志
    

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    BOM清單，一站式快速采購(gòu)
    

    聯(lián)系方式
    

    

    

    

    STGW30N90D
    

  1. 制造廠商：ST（中文名：意法半導(dǎo)體）
    2. 

  2. 類(lèi)別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
    3. 

  3. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 900V 60A 220W TO247
    4. 

  4. （專(zhuān)注銷(xiāo)售ST電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
    5. 

  5. （您可通過(guò)電話(huà)、微信、QQ或郵件與銷(xiāo)售代表聯(lián)系詢(xún)價(jià)及采購(gòu)）
    6. 

    參數(shù)詳情：
    

  6. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGW30N90D
  7. 制造商：STMicroelectronics，（意法半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）
  8. 描述：IGBT 900V 60A 220W TO247
  9. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  10. 產(chǎn)品系列：PowerMESH?
  11. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  12. IGBT類(lèi)型：-
  13. 電壓-集射極擊穿（最大值）：900V
  14. 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
  15. 電流-集電極脈沖(Icm)：135A
  16. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.75V @ 15V，20A
  17. 功率-最大值：220W
  18. 開(kāi)關(guān)能量：1.66mJ（開(kāi)），4.44mJ（關(guān)）
  19. 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
  20. 柵極電荷：110nC
  21. 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：29ns/275ns
  22. 測(cè)試條件：900V，20A，10 歐姆，15V
  23. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：152ns
  24. 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  25. 安裝類(lèi)型：通孔
  26. 封裝：TO-247-3
  27. STGW30N90D的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷(xiāo)售代表確認(rèn)。
    28. 

    

    

    

    點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    STGW30N90D的技術(shù)資料下載
    

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