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    ST，意法半導(dǎo)體
    

    

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    產(chǎn)品參考圖片
    

    STGD3NB60SD-1參考圖片
    

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    聯(lián)系方式
    

    

    

    

    STGD3NB60SD-1
    

  1. 制造廠商：ST（中文名：意法半導(dǎo)體）
    2. 

  2. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
    3. 

  3. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 6A 48W DPAK
    4. 

  4. （專注銷售ST電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
    5. 

  5. （您可通過(guò)電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
    6. 

    參數(shù)詳情：
    

  6. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGD3NB60SD-1
  7. 制造商：STMicroelectronics，（意法半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱ST）
  8. 描述：IGBT 600V 6A 48W DPAK
  9. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  10. 產(chǎn)品系列：PowerMESH?
  11. 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  12. IGBT類型：-
  13. 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
  14. 電流-集電極(Ic)（最大值）：6A
  15. 電流-集電極脈沖(Icm)：25A
  16. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，3A
  17. 功率-最大值：48W
  18. 開關(guān)能量：1.1mJ（開），1.15mJ（關(guān)）
  19. 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  20. 柵極電荷：18nC
  21. 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：125μs/3.4μs
  22. 測(cè)試條件：480V，3A，1 千歐，15V
  23. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：1.7μs
  24. 工作溫度：175°C（TJ）
  25. 安裝類型：表面貼裝型
  26. 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
  27. STGD3NB60SD-1的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
    28. 

    

    

    

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