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    ST，意法半導(dǎo)體
    

    

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    產(chǎn)品參考圖片
    

    STGB30H65DFB2參考圖片
    

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    聯(lián)系方式
    

    

    

    

    STGB30H65DFB2
    

  1. 制造廠商：ST（中文名：意法半導(dǎo)體）
    2. 

  2. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
    3. 

  3. 技術(shù)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
    4. 

  4. （專注銷售ST電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨�。�
    5. 

  5. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
    6. 

    參數(shù)詳情：
    

  6. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGB30H65DFB2
  7. 制造商：STMicroelectronics，（意法半導(dǎo)體，簡稱ST）
  8. 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
  9. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  10. 產(chǎn)品系列：HB2
  11. 零件狀態(tài)：有源
  12. IGBT類型：溝槽型場截止
  13. 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  14. 電流-集電極(Ic)（最大值）：50A
  15. 電流-集電極脈沖(Icm)：90A
  16. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A
  17. 功率-最大值：167W
  18. 開關(guān)能量：270μJ（開），310μJ（關(guān)）
  19. 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  20. 柵極電荷：90nC
  21. 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：18.4ns/71ns
  22. 測試條件：400V，30A，6.8 歐姆，15V
  23. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：115ns
  24. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  25. 安裝類型：表面貼裝型
  26. 封裝：TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA
  27. STGB30H65DFB2的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
    28. 

    

    

    

    點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    STGB30H65DFB2的技術(shù)資料下載
    

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