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    ST，意法半導(dǎo)體
    

    

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    產(chǎn)品參考圖片
    

    STGB10NB40LZT4參考圖片
    

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    聯(lián)系方式
    

    

    

    

    STGB10NB40LZT4
    

  1. 制造廠商：ST（中文名：意法半導(dǎo)體）
    2. 

  2. 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
    3. 

  3. 技術(shù)參數(shù)：IGBT 440V 20A 150W D2PAK
    4. 

  4. （專注銷售ST電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
    5. 

  5. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購）
    6. 

    參數(shù)詳情：
    

  6. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGB10NB40LZT4
  7. 制造商：STMicroelectronics，（意法半導(dǎo)體，簡稱ST）
  8. 描述：IGBT 440V 20A 150W D2PAK
  9. 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  10. 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?
  11. 零件狀態(tài)：有源
  12. IGBT類型：-
  13. 電壓-集射極擊穿（最大值）：440V
  14. 電流-集電極(Ic)（最大值）：20A
  15. 電流-集電極脈沖(Icm)：40A
  16. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 4.5V，10A
  17. 功率-最大值：150W
  18. 開關(guān)能量：2.4mJ（開），5mJ（關(guān)）
  19. 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  20. 柵極電荷：28nC
  21. 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：1.3μs/8μs
  22. 測試條件：328V，10A，1 千歐，5V
  23. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：-
  24. 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  25. 安裝類型：表面貼裝型
  26. 封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
  27. STGB10NB40LZT4的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
    28. 

    

    

    

    點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
    

    STGB10NB40LZT4的技術(shù)資料下載
    

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