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    ST,意法半導(dǎo)體
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    STFI7LN80K5
  1. 制造廠商:ST(中文名:意法半導(dǎo)體)
  2. 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè),器件封裝:I2PAKFP(TO-281)
  3. 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
  4. (專注銷售ST電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
  5. (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購)
  6. 參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號:STFI7LN80K5
  8. 制造商:STMicroelectronics,(意法半導(dǎo)體,簡稱ST)
  9. 描述:MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
  10. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  11. 產(chǎn)品系列:MDmesh?
  12. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  13. FET類型:N 通道
  14. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  15. 漏源電壓(Vdss):800V
  16. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):5A(Tc)
  17. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  18. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.15 歐姆 @ 2.5A,10V
  19. 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA
  20. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V
  21. Vgs(最大值):±30V
  22. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):270pF @ 100V
  23. FET功能:-
  24. 功率耗散(最大值):25W(Tc)
  25. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  26. 安裝類型:通孔
  27. 器件封裝:I2PAKFP(TO-281)
  28. STFI7LN80K5的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
  29. 點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
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