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    ST，意法半導(dǎo)體
    

    

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    產(chǎn)品參考圖片
    

    SCT20N120AG參考圖片
    

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    聯(lián)系方式
    

    

    

    

    SCT20N120AG
    

  1. 制造廠商：ST（中文名：意法半導(dǎo)體）
    2. 

  2. 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：HiP247?
    3. 

  3. 技術(shù)參數(shù)：SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
    4. 

  4. （專注銷售ST電子元器件，承諾原裝！現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨！）
    5. 

  5. （您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價(jià)及采購(gòu)）
    6. 

    參數(shù)詳情：
    

  6. 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SCT20N120AG
  7. 制造商：STMicroelectronics，（意法半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱ST）
  8. 描述：SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
  9. 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  10. 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
  11. 零件狀態(tài)：有源
  12. FET類型：N 通道
  13. 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
  14. 漏源電壓（Vdss）：1200V
  15. 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：20A（Tc）
  16. 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
  17. 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：239毫歐 @ 10A，20V
  18. 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
  19. 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 20V
  20. Vgs（最大值）：+25V，-10V
  21. 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：650pF @ 400V
  22. FET功能：-
  23. 功率耗散（最大值）：153W（Tc）
  24. 工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）
  25. 安裝類型：通孔
  26. 器件封裝：HiP247?
  27. SCT20N120AG的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量，歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
    28. 

    

    

    

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    SCT20N120AG的技術(shù)資料下載
    

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