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    A1P50S65M2
  1. 制造廠商:ST(中文名:意法半導(dǎo)體)
  2. 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:模塊
  3. 技術(shù)參數(shù):IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
  4. (專注銷售ST電子元器件,承諾原裝!現(xiàn)貨當(dāng)天發(fā)貨。
  5. (您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
  6. 參數(shù)詳情:
  7. 制造商產(chǎn)品型號:A1P50S65M2
  8. 制造商:STMicroelectronics,(意法半導(dǎo)體,簡稱ST)
  9. 描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
  10. 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  11. 零件狀態(tài):有源
  12. IGBT類型:溝槽型場截止
  13. 配置:三相反相器
  14. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
  15. 電流-集電極(Ic)(最大值):50A
  16. 功率-最大值:208W
  17. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A
  18. 電流-集電極截止(最大值):100μA
  19. 不同?Vce時輸入電容(Cies):4150pF @ 25V
  20. 輸入:標(biāo)準(zhǔn)
  21. NTC熱敏電阻:是
  22. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  23. 安裝類型:底座安裝
  24. 封裝:模塊
  25. A1P50S65M2的訂貨細(xì)節(jié)及現(xiàn)貨數(shù)量,歡迎跟我們的銷售代表確認(rèn)。
  26. 點擊下圖下載技術(shù)文檔
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